k4u处理器「CH340G芯片」

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在近日三星举办的投资者会议上宣布，将在明年量产的第七代V-NAND产品中使用“双堆栈”技术，具体堆叠层数却并未透露，此前有消息称，三星下一代3D NAND将超过160层。在128层工艺节点上，三星是唯一采用“单堆栈”技术生产3D NAND的企业。然而，对于堆叠层数更高的下一代NAND闪存，若不在其中增加强化结构，很难再以相同方式增加层数。因此，三星计划改用“双堆栈”方式强化结构，但是这样做的弊病就是会增加制造程序，同一时间所能制造的产品数量便会减少，进而产品成本竞争力将会削弱。

三星电子执行副总裁表示，由于采用双堆栈技术的第七代V-NAND制造程序较前一代有所增加，因此，第七代产品的单价相较第六代将至少增长约10%。理论上讲，采用双堆栈技术，3D NAND有望堆叠层数达到256层。尽管如此，三星强调，即使同样采用“双堆栈”技术，三星与其他企业也有显著区别，由于三星NAND闪存单元高度是低于竞争对手的，因此更具有技术竞争力。由于NAND闪存是像公寓一样将存储单元垂直堆叠，因此增加堆叠层数并减少闪存单元高度是提升成本竞争力的关键。

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